目前直拉单晶硅用石英坩埚助于采用钡涂层,但该镀层与熔硅反应造成氧含量升高,怎么解决最好是用其他镀层退换钡涂层,但目前所有企业基本都使用的是钡涂层,不知道还有没有其他好的镀层

来源：学生作业学帮网编辑：学帮网时间：2024/04/28 18:23:52

目前直拉单晶硅用石英坩埚助于采用钡涂层,但该镀层与熔硅反应造成氧含量升高,怎么解决
最好是用其他镀层退换钡涂层,但目前所有企业基本都使用的是钡涂层,不知道还有没有其他好的镀层

首先,氧的的主要来源就是熔硅与石英坩埚反应,99%的氧挥发掉,1%的随单晶的生长,进入硅棒中,所以和是否涂层没有关系,除非不用坩埚,但是不可能的.
其次,涂层具有提高成晶率的作用,不用就是增大成本,更不切实际.
再次,降氧工艺可以通过其他工艺来解决,氧控制在0.8E17以内的工艺,目前对强大的单晶硅企业来讲,已经是非常容易了.
另外,可以透漏一个信息,目前有家大企业在研制新的涂层,因为钡涂层工艺,是国外的专利,国人的是在侵权.

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