.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
来源:学生作业学帮网 编辑:学帮网 时间:2024/05/28 10:13:21
.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大
.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
D A
收录互联网各类作业题目,免费共享学生作业习题
慧海网手机作业共收录了 千万级 学生作业题目
来源:学生作业学帮网 编辑:学帮网 时间:2024/05/28 10:13:21
.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大
.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度
D A