载流子浓度

如何测量载流子浓度好像电化学s_v的方法,电解质溶解,有红外光谱仪的方法根据吸收峰,等离子震荡波长法,前两天我们刚好做了一个关于这个方面的答辩.有好多种方法的~

载流子浓度的单位是什么?单位是个/每立方米,或者写成/m³,（其中m³可以换成立方厘米）可以使用mol/m3,或者直接使用m^-3一般是立方厘米~~用立方米就太恐怖了`通常就是cm^-3

半导体中载流子浓度由什么决定?半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s）；半导体中的载流子一般包括自由电

本征载流子浓度与哪些因素有关?1、与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高2、与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,本征载流子深度越高.

载流子浓度与光学带隙有什么关系本征载流子是由本征激发所产生的,则它的产生与热激发有关,也与禁带宽度有关,所以具有以下特点：一是电子浓度=空穴浓度；二是载流子浓度随着温度的升高而指数式增大；三是与禁带宽度有指数函数关系（不同半导体的本征载流子

为什么半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下

为什么半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小因为半导体中的少数载流子浓度×多数载流子浓度＝本征载流子浓度的平方.而多数载流子浓度大于本征载流子浓度,所以少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

物理霍尔效应实验求霍尔系数,载流子浓度,材料的电导率,载流子的迁移率---------------------这4个公式,1.很复杂很复杂很复杂需要深究.2.若霍尔电压为负值,则N型半导体；若霍尔电压为正值,为P型半导体.3.选择迁移率高电

怎么利用霍尔效应测载流子的浓度看是用范德堡法还是霍尔巴法了,都需要用到磁场,电流、电压源表,温度方便是常温还是变温,要看您的选择了,有疑问发邮件给我吧xf525@126.com.

半导体的少数载流子浓度有什么决定主要由温度决定,温度越高,越多多数载流子和少数载流子的乘积在均匀的单晶半导体材料中是一个“定值”。不过这个“定值”是随温度变化的，和材料、电场等有关

为什么说半导体中载流子的浓度不变呢?载流子的浓度时会随着外界的条件而变化的,如温度,光照等,受到激发后,价带中的电子会激发到导带,从而增加了载流子的浓度半导体中载流子浓度是会改变的。半导体中载流子浓度和掺杂浓度、温度、半导体的种类等很多因素

【求助】霍尔效应测试载流子浓度为何有正有负?liujun_81(站内联系TA)你测试的样品是不是p型的?jasson216(站内联系TA)我测试的样品应该是N型的,因为主要靠内部的金属相导电,请问该怎样分析,大家帮帮忙吧deadseazhu

载流子的迁移率和浓度的单位分别是什么迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大；运动得慢,迁移率小.同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移率不同,一般是电

量子阱中载流子浓度与腔长是什么关系.“腔长”是指量子阱的阱宽吗?定性上讲阱越宽,载流子浓度越高；阱越窄,载流子浓度越低

杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系?多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

PN结光生载流子的扩散,为什么不是从高浓度到低浓度?我觉得既然在PN节上生成的载流子,那就应该受到PN结的内电场影响.内电场的方向是N区指向P区的,是有利于漂移运动,阻止扩散运动.这就是低浓度想高浓度漂移的原因吧.同电荷互相排斥异电荷互相吸

为什么PN节掺杂浓度越大热平衡载流子浓度就越小?你可以这么理解,杂质的浓度提高个,这些杂质起不到载流的作用,所以载流子浓度就越小

在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于____,载流子空穴的浓度主要取决于______载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度；载流子空穴的浓度主要取决于电压?（这个不太拿得准）

填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极型晶体管从结构上看可以分成（）和（）两种类型,它

1.PN结多数载流子浓度主要受（）影响,少数载流子浓度则主要受（）影响A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶体缺陷2.为了避免电源与负载之间的相互影响,通常采用的放大器接法类型为（）A.CEB.CCC.CSD.CBCA(少数载流子浓度由ni