晶体管的集电极电流ic随电压uce

晶体管工作时,集电极与发射极电压Uce是随基极电流Ib变化的.当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大.这是怎么理解的啊首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你

为什么三极管的输出特性曲线为（基极电流一定时）集电极电流Ic与集电极－发射极之间电压Uce的关系曲线?这是共发射极输出特性曲线,是三极管最常用的放大工作状态,也最能体现三极管的性能.共基极和共集电极有各自的输出特性曲线,但用的相对少.

15.在放大电路中,当集电极电流增大时,即使晶体管（）.A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、基极电流也随着增大BD就正确了

当三极管放大时,根据欧姆定律,Uce不变,集电极和发射极间加的电源电压不变,Ic电流也是不变的,有为什么增大Ib Ic会增大三极管的放大作用指的是：输出的信号电流Ie比输入的信号电流Ib大.这也适合欧姆定律？！题目中叙述有问题：在

为什么工作在放大区的晶体管当基极电流不变时增大Uce但Ic不变因为三极管工作在放大状态时,基极和集电极的电流满足电流放大关系：Ic=βIb,因此只要工作在放大状态,基极电流不变时,即使增大Uce,Ic仍然是满足电流放大关系的,即Ic基本不变

什么叫三极管管压降集电极电流ic与管压降Uce之间的函数关系中,什么叫管压降Uce啊?管压降Uce就是指集电极与发射极的电压正常0.1-0.7V

在共发射极放大电路中,集电极偏置电阻,作用是将集电极电流ICQ的变化转换成集电极电压Uce的变化.它是怎是怎么转换的?在共发射极放大电路中,集电极Rc是“负载电阻”.它的上端接电源,下端接集电极.电源的电流流过“负载电阻”,通过晶体管的发射

在描述晶体管的输出特性曲线中,为什么当Uce很小的时候,Ic会随Uce变化那么大呢?都几乎成斜线了呀能请你解释一下为什么会出现这种变化的?为什么在Uce很小的时候Ic会随Uce的变化这么大?因为这时晶体管处于饱和状态,集电结和发射结都正偏,

晶体管中Vbe起到的作用?Vbe与集电极电流Ic有什么关系?是不是Vbe减小,Ic也会减小?为什么?谢谢!请问是否Vbe的大小决定了Ib的大小,进而决定Ic的大小?Ib的大小不是由偏置电压Vb决定的吗?导通电压.是不是Vbe减小,Ic也会减

三极管Uce是集电极上的电压还是发射极欲集电极之间的电压是集电极和发射极二间的电压.

如图所示电路中,晶体管工作于什么状态,它们的Ib,Ic,Uce图呢.

当温度不变时,晶体管集电极电流Ic怎么变化,发射结压降呢?这个.这个问题好奇怪.集电极电流和发射节电压在温度不变的情况下会随基极电流或基极电压变化（在会变化的条件下）

晶体管的输出特性,为什么ic随着Uce增大有明显的增大的区域叫饱和区,而ic随着Uce变化基本不变叫放大区?课本上解释“对于某一条曲线,当Uce从零逐渐增大时,集电结电厂增强,收集能力增强,当Uce增大到一定数值,足以将基区的绝大多数非平衡

晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的?主要是通过电流分配关系.IE=IC+IB,IC=βib,改变基极电流,也就改变了集电极电流.其实也可以采用基尔霍夫电流定律来计算.

晶体管基极电流,集电极电流,输出电压分析.等效输入电压我能看懂,等效输入电阻我看不懂了,请能看懂的同学给我详细讲解一下,求等效输入电阻时,要把两个输入端的电压源置零,也就是说要对地短路,此时两电阻相当于并联,因此有你图中的电阻计算结果一说.

三极管,共集电极放大电路,被放大的是集电极电流IC吗?IE=IC+IB,IB极小.所以IE相当于等于IC,IC放大就有用了啊!你的第一个问题是什么啊?我真是看不懂,你表达有问题."共哪个极,哪个极接地"这个说法是交流接地不是直流接地,电池的

关于晶体管中的电流关系晶体管中的电流为什么：Ie的电流与Ic的电流有关系?如图晶体管Ie的电流与Ic的电流与基极电流和晶体管电流放大倍数β有关.晶体管工作在放大状态时Ic=Ibβ,Ie=Ib(1+β)

为什么在放大电路中晶体管的集电极电流与发射极电流近似相等?Ic≈βIbIe≈（1+β）Ibβ>>1所以集电极电流与发射极电流近似相等

晶体管放大中为什么集电极的电压要大于基极电压集电极电压大于基极,才能把电子从晶体管的发射极极运送到集电极极,实现小信号放大,如果集电极电压低于基极,发射极的电子全部通过基极而不进入集电极,晶体管就失去了放大作用

为什么晶体管的受控电流Ic与发射结电压Ub'e成线性关系RT.书上说是根据半导体物理的分析,谁能帮我分析分析.IC与Ube不成线性关系,书上说成线性关系?